深圳市LED产业发展规划

5.深圳正在进入产业优化升级的新一轮发展期。

随着经济高速发展，资源的刚性约束使得深圳迫切需要推进产业结构的优化升级、加快现代产业体系建设。同时，在全球金融危机对实体经济影响下，需要培育与扶持新兴产业。LED产业的产业链长，通过向上下游产业延伸，能带动平面显示、数字家电、汽车电子和新兴照明等产业的发展。深圳应将LED产业作为一个战略产业来培育发展，推动产业优化升级，保持经济平稳快速增长。

6.国内LED产业竞争激烈。

我国LED产业初步形成了珠三角、长三角、福建江西地区、北方地区四大集聚区域，所提出的发展LED产业构想，普遍关注LED产业上、中游环节。目前，深圳LED产业结构尚未表现出显著的差异性，存在同构现象，竞争日趋激烈。

二、指导思想与发展目标

(一)指导思想。

全面落实科学发展观，以“政府扶持、政策引导，科学规划、推进集聚，积极投入、推进研发，注重宣传、打造示范，加快发展、做强做大”为原则，以打造产业核心竞争力为目标，以提高自主创新能力为关键，以改善产业发展环境为手段，广聚发展资源，健全创新体系，优化产业结构，推动深圳LED产业做大做强。

(二)发展目标。

1.总体目标。

在白光通用照明、大尺寸LED背光源等领域实现突破，继续保持在LED封装和LED显示屏上全国领先的优势，推动产业链和创新链向高端发展，建设具有国际水平的技术研发及服务平台，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，打造若干知名品牌，掌握一批核心技术，建成我国LED产业技术创新的示范基地和全球重要的LED产品研发生产基地。

2.近期目标。

到2010年，深圳将成为国际上有影响、国内一流的产业化环境好、国际化程度高、具有一定的创新能力和产业特色的LED产业集聚地。LED产业规模在年产值280亿元以上，保持在封装及应用领域的国内领先地位，力争在产业链中上游环节取得突破;培育和发展5家以上产值超过5亿元、具有一定技术创新能力、在国内有影响的企业;在封装及应用领域形成若干具有国际先进水平的特色优势产品，培育若干有持续创新能力的重点技术研发中心。

3.中长期目标。

到2015年，建成我国LED产业技术创新的重要示范基地和全球重要的LED产品研发生产基地。产业规模在年产值1300亿元以上，在白光通用照明领域实现产业化，形成完善的产业链和创新链;培育和发展一批具有国际竞争力的龙头企业，培育和发展产值超过100亿元的企业1家以上、产值超过50亿元的2—3家、产值超过10亿元的10家以上;形成若干知名品牌产品，掌握一批核心技术，建成具有国际水平的技术创新和服务平台。

三、发展重点

(一)产业发展重点。

1.衬底、外延及芯片。

重点支持大尺寸蓝宝石衬底晶体及GaN同质衬底材料的加工和制作项目，支持GaN基材料生长和低成本器件制造技术研发及产业化项目;通过发展图形衬底、衬底剥离、新型横向外延、光子晶体技术等多种途径，大幅度提高功率型LED芯片的发光效率;重点发展GaN基蓝、绿光外延片和四元系InGaAlP红、黄光外延片，重点支持高品质、规模化的外延以及芯片产业化项目。

2.封装。

重点发展中高端的封装产品。围绕深圳特色应用产品(照明、背光源、显示屏等)及周边区域下游应用需求(手机、电脑、景观、汽车、家电等)，优先支持功率型白光LED封装项目、产能在300KK/月以上的较大规模的SMD封装项目。

3.应用产品。

重点发展中、高端LED应用产品。优先发展室内照明灯具、城市道路照明灯具、户外装饰照明系统、汽车照明灯、大尺寸LED背光源、全彩显示屏、彩屏幕墙、太阳能LED应用产品等项目。

4.配套及设备。

重点发展MOCVD\HVPE等外延生长设备的国产化、LED芯片加工关键工艺设备、LED自动封装设备，包括各类SMD LED和功率型白光LED专用封装设备，测试和筛选仪器设备;鼓励发展为LED配套的拥有自主知识产权的管壳、荧光粉、胶水、支架、专用二次光学器件、专用IC等基础材料项目。

(二)技术发展重点。

1.衬底、外延及芯片。

重点支持GaN基功率型高亮度蓝、绿光外延片及芯片产业化技术、四元系InGaAlP高亮度红、黄、绿光外延片及芯片产业化技术。蓝宝石图形衬底制备及GaN基LED外延生长技术;大尺寸硅衬底GaN基LED外延材料生长与芯片制造关键技术;新型非极性衬底制备及GaN基LED外延生长技术;GaN基自支撑衬底制备及同质GaN基LED外延生长技术;垂直结构功率型LED芯片制造技术;深紫外氮化物材料、器件制备研究。