收藏！《2021年全球第三代半导体行业技术全景图谱》(附专利申请情况、专利竞争和专利价值等)

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)、斯达半导(603290)、楚江新材(002171)等。

本文核心数据：第三代半导体专利申请数量、第三代半导体专利区域分布、第三代半导体申请人排名、专利市场价值

全文统计口径说明：1)搜索关键词：第三代半导体及与之相近似或相关关键词;2)搜索范围：标题、摘要和权利说明;3)筛选条件：简单同族申请去重、法律状态为实质审查、授权、PCT国际公布、PCT进入指定国(指定期)，简单同族申请去重是按照受理局进行统计。4)统计截止日期：2021年12月16日。5)若有特殊统计口径会在图表下方备注。

1、全球第三代半导体行业专利申请概况

(1)技术周期：处于成长期

2010-2020年，全球第三代半导体行业专利申请人数量及专利申请量整体上呈现增长态势。整体来看，全球第三代半导体技术处于成长期。

注：当前技术领域生命周期所处阶段通过专利申请量与专利申请人数量随时间的推移而变化来分析。

(2)专利申请量及专利授权量：2020年专利数量及授权量均有所下降

2010-2020年全球第三代半导体行业专利申请数量呈现逐渐增长的趋势，2020年全球第三代半导体行业专利申请数量为2925项，较2019年增加了269项。

在专利授权方面，2010-2020年全球第三代半导体行业专利授权数量同样呈现逐渐增长的趋势。2020年全球第三代半导体行业专利授权数量为1224项，授权比重仅为41.85%。

2021年1-9月，全球第三代半导体行业专利申请数量和专利授权数量分别为1663项和353项，授权比重为21.23%。截止2021年12月16日，全球第三代半导体行业专利申请数量为2.67万项。

注：①专利授权率表明申请的有效率以及最终获得授权的提交申请成功率。

②统计说明：如果2012年专利申请在2014年获得授权，授予的专利将在2012年专利申请中显示。

(3)专利法律状态：“有效”专利数量占比近37%

目前，全球第三代半导体大多数专利处于 “有效”状态，专利总量为9823项，占全球第三代半导体专利总量的36.78%。

(4)专利市场价值：3万美元以下专利申请数量最多

目前，全球第三代半导体行业专利总价值为19.35亿美元。其中，3万美元以下的第三代半导体专利申请数量最多，为9301项;其次是3万-30万美元的第三代半导体专利，合计专利申请量为3895项。3百万美元以上的第三代半导体专利申请数量最少，为109项。

2、全球第三代半导体行业专利技术类型

(1)专利类型：发明专利占比高达82.28%

在专利类型方面，目前全球有2.22万项第三代半导体专利为发明专利，占全球第三代半导体专利申请比重最大，为82.28%。实用新型第三代半导体专利和外观设计型第三代半导体专利数量分别为4422项和311项，分别占全球第三代半导体专利申请数量16.56%和1.16%。

(2)技术构成：第一大技术占比超过20%

从技术构成来看，目前H01L21“专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕”的专利申请数量最多，为2690项，占总申请量的23.35%。其次是C04B35“以成分为特征的陶瓷成型制品;陶瓷组合物(含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C);准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕”，专利申请量为4443项，占总申请量的18.24%。

(3)技术焦点：十大热门

全球第三代半导体前十大热门技术词包括钝化层、碳化硅粉、陶瓷材料、功率模块、生长装置、烧结炉、氧化物、外延片、功率器件和碳化硅。进一步细分来看，第三代半导体技术热门词包括肖特基二极管、发光二极管、碳化硅基等。具体情况如下：

注：旭日图内层关键词是从最近5000条专利中提取。外层的关键词是内层关键词的进一步分解。

(4)被引用次数TOP专利：第一大专利被引用超过100次

GaN场效应晶体管(专利号：WO2003071607A1)和一种增强型氮化镓HEMT器件结构(专利号：CN101312207A)是被引用次数最多的两大第三代半导体专利，两者被引用的次数均超过了90次。其他被引用次数前十大专利如下所示：

3、全球第三代半导体行业专利竞争情况

(1)技术来源国分布：中国占比最高

目前，全球第三代半导体第一大技术来源国为中国，中国第三代半导体专利申请量占全球第三代半导体专利总申请量的56.79%;其次是日本，日本第三代半导体专利申请量占全球第三代半导体专利总申请量的12.66%;美国专利申请量排名第三，占比为12.49%。

(2)中国区域专利申请分布：江苏省申请数量最多

中国方面，江苏省为中国当前申请第三代半导体专利数量最多的省份，累计当前第三代半导体专利申请数量高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江当前申请第三代半导体专利数量均超过1000项。中国当前申请省(市、自治区)第三代半导体专利数量排名前十的省份还有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

统计口径说明：按照专利申请人提交的地址统计。

(3)专利申请人竞争：西安电子科技大学申请量最多

全球第三代半导体行业专利申请数量TOP10申请人分别是西安电子科技大学、住友电気工业株式会社、中国科学院半导体研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、克里公司、电子科技大学、华南理工大学、西北工业大学、中国科学院上海硅酸盐研究所和昭和电工株式会社。

其中，西安电子科技大学第三代半导体专利申请数量最多，为570项。住友电気工业株式会社排名第二，其第三代半导体专利申请数量为447项。

注：未剔除联合申请数量。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、招股说明书撰写等解决方案。

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